-
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail
-
Оперативная память Samsung 2933 МГц DIMM CL21 M391A1K43DB2-CVFQY
Назначение: для системного блока Тип поставки: один модуль 1x8Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота:2933 МГц Пропускная способность:23400 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная: нет Латентность: CL21 Тайминги:21-21-21 Подсветка: нет Объем одного модуля:8 Гб Кол-во
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 RDIMM CL21 M393A4K40DB2-CVF
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM393A4K40DB2ПрименениеДля сервераТип памятиRDIMM DDR4Спецификация памятиREGЧастота модуля (МГц)2933МГцПропускная споособность модуля памяти(Мб/сек)23400Мб/секОбъём модуля памяти (ГБ)32ГБРанговость модуля памятиD4 (2Rx4)Напряжение питания модуля памяти1.2VКоличество модулей в комплекте1Высота упаковки (мм)130ммДлина упаковки (мм)30ммШирина упаковки (мм)7ммВес брутто (кг)0.05кг
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4G40AB3-CVF
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
-
Оперативная память Samsung M378A1K43DB2-CVF DDR4 - 1x 8ГБ 2933МГц, DIMM, OEM
288-pin; частота: 2933 МГц; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM
-
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386AAG40MMB-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 128Gb; Объем одного модуля памяти: 128Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
-
Оперативная память Samsung (M378A1K43DB2-CVF), DDR4 1x8Gb, 2933MHz
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB2-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
-
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 KVR29S21S6 / 8
Модель KVR29S21S6/8 Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-23400 Скорость (тест) 2933MHz Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 21-21-21 Латентность CL21 Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR29S21S6/8 Количество рангов (Ranks) single rank Количество чипов 16 Серия VALUERAM Тип памяти
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается