-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB3-CWEBY
Основные характеристики Вес (грамм) 50 Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель M393A2K40DB3-CWE Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ) 16 Поддержка Reg Есть Производитель Samsung
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 DIMM CL22 M393A4K40DB3-CWEBQ
Представляем вам высококачественный модуль памяти Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200MHz 1.2V M393A4K40DB3-CWE, который обеспечит быструю и стабильную работу вашего компьютера. Этот модуль памяти отличается высокой производительностью и энергоэффективностью благодаря частоте 3200MHz и низкому напряжению 1.2V.
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4G40AB3-CVF
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A1K43DB2-CWEGY
Память DDR4 Samsung M393A1K43DB2-CWE 8Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz - это надежное и высококачественное устройство, которое обеспечит стабильную и быструю работу вашего компьютера. Благодаря емкости 8Gb и поддержке технологии ECC Reg, данная память
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
D_HEIGHT 1 D_LENGTH 10 D_WIDTH 7 EANUPCCode h0cq010236000052236z Error-correcting code (ECC) Да Буферизованная (Registered) Да Объем, ГБ 32GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz… adpar_property_list td > span,
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 RDIMM CL21 M393A4K40DB2-CVF
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM393A4K40DB2ПрименениеДля сервераТип памятиRDIMM DDR4Спецификация памятиREGЧастота модуля (МГц)2933МГцПропускная споособность модуля памяти(Мб/сек)23400Мб/секОбъём модуля памяти (ГБ)32ГБРанговость модуля памятиD4 (2Rx4)Напряжение питания модуля памяти1.2VКоличество модулей в комплекте1Высота упаковки (мм)130ммДлина упаковки (мм)30ммШирина упаковки (мм)7ммВес брутто (кг)0.05кг
-
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail
-
Оперативная память Samsung M378A1K43DB2-CVF DDR4 - 1x 8ГБ 2933МГц, DIMM, OEM
288-pin; частота: 2933 МГц; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G40BB3-CWE
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 3200 MHz, серия модуля PC4-25600, пропускная способность 25600 MB/s Registered. Форм-фактор модуля RDIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Samsung M393A4G40BB3-CWE
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A1K43DB2-CWEQY
Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M391A1K43DB2-CWE PartNumber для Сборных Станций M393A1K43DB2-CWE Тип DDR4 Емкость одного модуля 8192 Количество модулей 1 Частотная спецификация 3200 Тип поставки OEM Форм-фактор DIMM Показатель скорости PC4-25600 Error Checking and Correction (ECC) ДА