-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A1K43CB2-CRC
Оперативная память Samsung [M378A1K43CB2-CRC] 8 ГБ - изделие от крупного бренда. Компания давно занимается изготовлением различных комплектующих. Используются исключительно качественные компоненты для производства планок. Вы сможете быть уверены в надежности, плашка прослужит в течение длительного
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A2K43CB2-CTD7Y
M393A2K43CB2-CTD7Q Серверная оперативная память Samsung [M393A2K43CB2-CTD7Q] 16 ГБ
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M391A1K43BB2-CTD
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: нет (M391A1K43BB2-CTDQY)
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTD
Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD00
Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГцПропускная способность: 21300 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DIMM CL19 M378A1K43DB2-CVF
Модель M378A1K43DB2-CVF Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-23400 Скорость (тест) 2933МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Режим работы двухканальный Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A1K43DB2-CVF Количество рангов (Ranks) single rank Количество чипов 8 Объем одного модуля 8
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8-гигабайтная оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CRC] является отличным вариантом для модернизации мобильного компьютера, в котором используется память DDR4. Увеличив объем памяти, вы сможете повысить скорость работы операционной системы и большинства программ. Ноутбук, оборудованный 8 гигабайтами памяти,
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A2K43CB1-CRCD0
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенным. Память рассчитана на интенсивную