-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CF8
DDR3 4Gb 1066 Mhz So-Dimm 1Rx8 Samsung M471B5273CH0-CF84GB 1Rx8 PC3-8500S-07-10-F2Производитель : SamsungМодель : M471B5273CH0-CF8Назначение : для ноутбуков, нетбуковФорм-фактор : So-DimmОбъём : 4 GbТип : DDR3Пропускная способность : PC8500Тактовая частота : 1066 MhzРанг : 1Rx8, одноранговаяТайминги :
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0
DDR3L 8GB 1600MHz 1.35V CL11 SODIMM - это высококачественная оперативная память, разработанная известным производителем электроники. Она предназначена для использования в ноутбуках и других устройствах, использующих компактные форм-факторы и низковольтные модули SODIMM. Модуль памяти DDR3L оснащен 8
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
Desc: DDR3L SODIMM 204-контактный 1600 МГц 12800 Мб/с 1 модуль 8 Гб нет нет нет 11 11 11 16, двусторонняя упаковка 1.35 В
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M471B5173CB0-YK0
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5173DB0-YK0D0
Название товара: В Модуль оперативной памяти Модель: В M471B5173DB0-YK000 Назначение: В Для ноутбуков Количество модулей памяти в комплекте, шт: В 1 Тип модуля памяти: В DDR3 Объём: В 4 Гб
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5173EB0-YK0
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ecc: нет Поддержка xmp: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
Модули памяти для серверов 16gb, new oem 16GB Samsung DDR3L 1600 DIMM (M393B2G70BH0-YK0Q8) Server Memory, 1.35V, ECC, Reg, CL11, DRx4, Bulk M393B2G70BH0-YK0 SAMSUNG 16GB 2RX4 PC3L-12800R 1.35V MEMORY MODULE (1x16GB) Аналог: M393B2G70QH0-YK0 В