-
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-CK0 DDR3 1x4Gb 1600MHz
Модуль памяти SODIMM Samsung M471B5273DH0-CK0 стандарта DDR3 напряжение 1.5В, с объемом памяти 4GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600 МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3 1.5 вольт. Уточняйте информацию
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Модуль памяти DDR3 4Gb M391B5273DH0-YK0 Unbuffered Samsung PC3-12800E 1600 UDIMM 2RX8 1,5V Dual Rank Rank Модули памяти для серверов DELL HP , 4gb, new oem Аналог 662609-571
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных.
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0
тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: Unregistered Подробные характеристики Производитель Samsung Тип DDR3L Объем
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Суммарный объем памяти 8 ГБЕмкость одного модуля 8 ГБТип памяти DDR3Пропускная способность, Мб/с 10600Тактовая частота, МГц 1333Количество модулей в комплекте 1Форм-фактор RAM DIMMРадиатор НетCAS Latency (CL) 11 тактовТайминги 9-9-9-30 Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CF8
DDR3 4Gb 1066 Mhz So-Dimm 1Rx8 Samsung M471B5273CH0-CF84GB 1Rx8 PC3-8500S-07-10-F2Производитель : SamsungМодель : M471B5273CH0-CF8Назначение : для ноутбуков, нетбуковФорм-фактор : So-DimmОбъём : 4 GbТип : DDR3Пропускная способность : PC8500Тактовая частота : 1066 MhzРанг : 1Rx8, одноранговаяТайминги :
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL11 M378B1G73DH0-CK0
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DH0-CK0 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B1G73BH0-CK0
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
