-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73QH0-CK000
Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600, M378B1G73QH0-CK0Технические характеристикиОбъем памяти комплекта 8 ГБКол-во планок в комплекте 1 штФорм-фактор памяти DIMMТип памяти DDR3Тактовая частота 1600 МГцПропускная способность 12800 МБ/секСхема таймингов памяти 11-11-11Рабочее напряжение 1.5 ВТип охлаждения без охлажденияВысота планки
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Модуль памяти DDR3 4Gb M391B5273DH0-YK0 Unbuffered Samsung PC3-12800E 1600 UDIMM 2RX8 1,5V Dual Rank Rank Модули памяти для серверов DELL HP , 4gb, new oem Аналог 662609-571
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL11 M378B1G73DH0-CK0
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DH0-CK0 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CKO
Описание Оперативная память для ноутбука 4Gb PC3-10600 DDR3 1333Mhz M471B5273CH0-CKO. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы. Подробные характеристики Характеристики Тип DDR3 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B1G73BH0-CK0
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5173EB0-YK0
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M378B5273DH0-CH900
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 4ГБ Samsung M378B5273DH0-CH9 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail