-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40CM2-CVFBY
объем памяти: 64 ГБ тип: DDR4 LRDIMM 288-pin тактовая частота: 2933 МГц тайминги: 21-21-21-32 напряжение питания: 1.2 В
-
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц RDIMM CL21 M393AAG40M3B-CYF
Модуль памяти 3DS RDIMM DDR4, Registered DDR4 128 Гб x 1 шт. PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4G40AB3-CVF
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 LRDIMM CL21 M386A8K40DM2-CVFCO
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM386A8K40DM2-CVFТип оборудованияОперативная памятьЧастота (MHz)DDR4 - 2933Тип модуляLRDIMMОбъем одного модуля (ГБ)64Количество модулей в комплекте (шт)1Общий объем памяти (ГБ)64Пропускная способность (МБ/с)23400Поддержка ECCЕстьПоддержка RegЕстьНизкопрофильнаянетКоличество контактов288CAS Latency (CL)19РадиаторНетПоддержка водяного охлаждениянетЦвет комбинированная расцветкаПодсветканетНапряжение (В)1.2Нормальная операционная температура (Tcase)75Расширенная операционная температура (Tcase)85Дополнительная информациянетширина(см)4длина(см)15высота(см)1масса(кг)0.06гарантия1
-
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 RDIMM CL21 M393A4K40DB2-CVF
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM393A4K40DB2ПрименениеДля сервераТип памятиRDIMM DDR4Спецификация памятиREGЧастота модуля (МГц)2933МГцПропускная споособность модуля памяти(Мб/сек)23400Мб/секОбъём модуля памяти (ГБ)32ГБРанговость модуля памятиD4 (2Rx4)Напряжение питания модуля памяти1.2VКоличество модулей в комплекте1Высота упаковки (мм)130ммДлина упаковки (мм)30ммШирина упаковки (мм)7ммВес брутто (кг)0.05кг
-
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 128 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 P11040-B21
Оперативная память HPE 128GB DDR4 LRDIMM 2933MHz, P11040-B21 доступна для заказа. Bouz Group предлагает к поставке модуль памяти P11040-B21 по самой низкой цене. Вы можете купить оперативную память P11040-B21 с доставкой во все регионы. Характеристики:
-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A8G40MB2-CVFBY
Серверная оперативная память Samsung (M393A8G40MB2-CVF) емкостью 64 ГБ представляет собой высокопроизводительное решение для использования в серверном оборудовании различного класса, а также настольных рабочих станциях. Данная модель выполнена в форм-факторе DIMM и соответствует типу DDR4 с поддержкой
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB2-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
-
Оперативная память Samsung 128 ГБ DIMM CL21 M393AAG40M3B-CYFC0
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM393AAG40M3B-CYFВес (грамм)30Высота (мм)32Габариты (мм)133.35 х 32Гарантия производителя3 годаКоличество контактов288Количество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.2НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)128Поддержка ECCЕстьПоддержка RegЕстьПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)25600Таймингин/дТип модуляRDIMMЦветЗеленыйЧастота (MHz)DDR4 - 2933Чип8Gb x 4-bitДлина(см)13Ширина(см)0.5Высота(см)3Масса(кг)0.03
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
