-
Оперативная память Micron 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 MTA8ATF1G64HZ-2G6
Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 8 ГБ Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11
-
Оперативная память Micron 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 MTA16ATF1G64HZ-2G1A2
Модуль памяти Micron DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2133 MHz для ноутбука SODIMM DDR4 8Gb Маркировка MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 Аналоги: MTA16ATF1G64HZ-2G1A2 MTA8ATF51264HZ-2G1B1 MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 DDR4 2133 SODIMM PC4-17000
-
Оперативная память Micron 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 MTA36ASF4G72PZ-3G2E2
Бренд CRUCIAL PartNumber/Артикул Производителя MTA36ASF4G72PZ-3G2 Тип DDR4 Емкость одного модуля 32768 Количество модулей 1 Частотная спецификация 3200 Форм-фактор DIMM Показатель скорости PC4-25600 Error Checking and Correction (ECC) ДА Буферизация registered Латентность CL22… adpar_property_list td > span,
-
Оперативная память Micron 64 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 MTA36ASF8G72PZ-3G2B2
Устанавливая модули DRAM Crucial, вы сможете повысить производительность своих ЦП и оптимизировать вычислительный потенциал серверов. Поскольку память обычно работает как фиксированный (не общий) компонент, она чаще представляет собой больший ограничительный фактор, чем процессоры или устройства хранения,
-
Оперативная память Micron 64 ГБ DDR4 3200 МГц LRDIMM CL22 MTA36ASF8G72LZ-3G2B1
ХарактеристикиПроизводительMicronМодельMTA36ASF8G72LZ-3G2B1Гарантия производителя3 годаКоличество контактов288Количество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.2НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)64Поддержка ECCЕстьПоддержка RegЕстьПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)25600Тип модуляLRDIMMЦветКомбинированныйЧастота (MHz)DDR4 - 3200Длина(см)17Ширина(см)5.5Высота(см)0.5Масса(кг)0.05
-
Оперативная память Micron 16 ГБ DDR4 DIMM CL22 MTA9ASF2G72AZ-3G2B1
ХарактеристикиТип DDR4Форм-фактор DIMMКоличество модулей в комплекте 1Объем одного модуля 16 ГБТактовая частота 3200 МГцПропускная способность PC25600CL 22Количество контактов 288Особенности ECC
-
Оперативная память Micron (MTA36ASF4G72PZ-3G2), DDR4 1x32Gb, 3200MHz
-
Оперативная память Micron 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 MT8KTF51264HZ-1G6
Общие характеристики Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ecc: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Hynix 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN Модуль памяти Hynix DDR4 SO-DIMM 16 ГБ 3200MHz CL19 2Rx8 двухранговая Код модели: HMA82GS6DJR8N-XN Совместимый парт номер: HMA41GS6AFR8N-XN HMA851S6CJR6N-XN HMAA1GS6CJR6N-XN HMA851S6DJR6N-XN SODIMM
-
Оперативная память ADATA 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22
Преимуществом памяти DDR4 является крайне низкое энергопотребление, достигаемое за счет низкого напряжения питания модуля (1.2 В): эта особенность положительно влияет на показатели длительности автономной работы вашего мобильного компьютера. Подобная планка может использоваться для модернизации ноутбука, замены