-
Оперативная память Corsair ValueSelect 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 CMSO8GX4M1A2133C15
Для ноутбуков, способных работать с памятью типа DDR4, отличным выбором станет недорогой, но мощный модуль памяти CORSAIR CMSO8GX4M1A2133C15 DDR4. Это одна планка емкостью в 8 Гб ОЗУ, выполненная по стандарту SO-DIMM, обычно используемому в ноутбуках. Ее
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ecc: нет Поддержка xmp: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги
-
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 QUM3S-4G1333C9
ХарактеристикиПроизводительQumoМодельQUM3S-4G1333С9Гарантия производителя2 годаКоличество контактов240Количество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.5НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)4Поддержка ECCНетПоддержка RegНетПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)10600Тайминги9-9-9Тип модуляSO-DIMMЦветКомбинированныйЧастота (MHz)DDR3 - 1333Чип512M x 8-bitДлина(см)0Ширина(см)0Высота(см)0
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных.
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5773CHS-CH9
Оперативная память Samsung 2GB M471B5773CHS-СH9 2GB 1Rx8 PC3-10600S-09-10-ZZZ
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 KVR13S9S8 / 4
Модуль памяти SO-DIMM DDR3, 4ГБ, PC3-10600, 1333МГц, Kingston, KVR13S9S8/4
-
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5673FH0-CH9
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.35 В Количество ранков 4
-
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 QUM3S-4G1333K9R
Характеристики: Производитель QUMOМодель QUM3S-4G1333K9Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR3Объем модуля памяти 4 ГбКоличество модулей в комплекте 1ПроизводительностьЧастота функционирования до 1333 МГцСтандарт памяти PC3-10600 (DDR3 1333 МГц)Пропускная способность памяти 10600 Мб/секЛатентность CL9Напряжение питания 1.5 В (DDR3)