Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет по возрастанию цены - 2-я страница
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2628 предложений.
-
Оперативная память для ноутбука Hynix 4gb ddr3 1600 so-dimm
Оперативная память для ноутбуков Hynix - это высококачественный продукт, который поможет вам улучшить производительность вашего устройства. Бренд Hynix был основан в 1985 году и с тех пор зарекомендовал себя как надежный и качественный производитель. Оперативная память
999 756 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Netac 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 NTBSD3N16SP-04
Базовая единица: штТип: DDR3LФорм-фактор: SODIMMКоличество модулей в комплекте: 1 шт.Объем одного модуля: 4|ГБТактовая частота: 1600|МГцПропускная способность: PC12800CL: 11tRCD: 11tRP: 11tRAS: 28Напряжение питания: 1.35 ВКоличество рангов: 1Количество контактов: 260Упаковка чипов: двусторонняяКоличество чипов каждого модуля: 8 ]]>
от 775 до 949 р. -
Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11 / 4
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11
от 776 до 1445 р. -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 2ГБ, 667МГц, PC2-5300 SDRAM, 1.8В UNBUFF
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1199 780 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR2, 2ГБ, 667МГц, PC2-5300
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1199 780 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 R744G2606U1S-U
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 04897065181777 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R744G2606U1S-U RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Вес (грамм) 50
от 780 до 1318 р. -
Оперативная память Azerty DDR3L 2Rx8 PC3L-1600 PC-4G-1600 DIMM 4Gb
от 780 до 1000 р.
-
Оперативная память Micron 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400S 800MHz
Оперативная память для ноутбука 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400S 800MHz MT16HTF25664HY-800G1. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.
1290 790 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Patriot Memory SL 4 ГБ DDR4 SODIMM CL15 PSD44G213381S
Модуль памяти Patriot PSD44G213381S — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 2133 МГц, благодаря
от 790 до 1321 р. -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR2, 1ГБ, 800МГц, PC2-6400
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1440 792 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8
1400 795 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK
объем памяти: 4 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 2666 МГцтайминги: 19-19-19напряжение питания: 1.2 Впропускная способность: PC21300
2486 799 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память neoforza 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 NMUD320C81-1600DA10
Код товара: 781941. Наличный и безналичный расчет! Быстрая доставка. 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 ВОсновные- Набор: 1 модуль- Объем: 2 ГБ- Тип: DDR3 DIMM- ECC: нет- Частота: 1600 МГц- PC-индекс:
-
Модуль памяти Kingston DIMM DDR3, 4ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
от 809 до 1912 р. -
IBM|SK Hynix Модуль памяти hmt351v7cfr8a-h9, 46c0576, 43x5314, DDR3, 4 Гб для сервера ОЕМ
Модуль памяти hmt351v7cfr8a-h9, 46c0576, 43x5314, DDR3, 4 Гб для сервера На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 4ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1458 810 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT351U6EFR8C-PB
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT351U6EFR8C-PB - это высококачественный модуль памяти, который обеспечивает стабильную и быструю работу вашего компьютера. Оперативная память Hynix использует тип памяти DDR3, что гарантирует высокую производительность и
-
Оперативная память DDR2 2Gb 667 Mhz Samsung M470T566QZ3-CE6 PC2-5300 So-Dimm для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M470T566QZ3-CE6Samsung M470T5663EZ3-CE6
1499 817 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Nanya Память оперативная NT5TU256T8DY-AD
Категория: радиодетали.память оперативная NT5TU256T8DY-AD
от 821 до 825 р. -
Оперативная память Hynix 2GB DDR2 667MHz PC2-5300S SO-DIMM
Оперативная память для ноутбука 2GB 667MHz DDR2 PC2-5300S HMP125S6EFR8C-Y5. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.
1390 828 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 HMT351S6CFR8C-PB
Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет
990 830 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Neo forza Оперативная память neoforza 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 NMSO340C81-1600DA10
Модуль памяти LV SO-DIMM DDR3 4 Гб x 1 шт. PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Напряжение: 1.35 В (LV DDR3)
-
Оперативная память Patriot Memory SL 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 PSD34G1600L81S
Модель PSD34G1600L81S Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD34G1600L81S Количество рангов (Ranks) dual rank Тип памяти DDR3L Объем 4096 Частотная спецификация
от 835 до 1170 р. -
Оперативная память DIGMA DDR3 1600 МГц DIMM CL11 DGMAD31600004D
Оперативная память DIGMA является высокопроизводительным решением для модернизации и апгрейда вычислительной платформы ПК. Наряду с быстрой работой он отличается высокой энергоэффективностью. Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
от 838 до 990 р. -
Оперативная память Hynix 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 HYMP112U64CP8-S6
Компания Hynix была образована в 1983 году и на данный момент является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов. Штаб-квартира находится в городе Сеул, Корея. Слияние с LG Semiconductor в 1999 году, позволило еще больше расширить производственные
от 838 до 1385 р. -
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3 SODIMM CL11 R532G1601S1S-UO
Для модернизации вашего рабочего ноутбука хорошим вариантом является модуль памяти AMD R532G1601S1S-UO. Оснащенный 2 Гб памяти, он справится с запуском офисных приложений, просмотром фотографий и видео, работой в сети Интернет. Характеризующаяся быстродействием память третьего поколения выделяет
от 840 до 987 р. -
Оперативная память KingSpec DDR3L DIMM CL11 KS1600D3P13504G
Размер (модули памяти): 4096/1600Объем: 4096МБЧастотная спецификация: 1600Количество в упаковке: 1Тип поставки: RetФорм-фактор: DIMMБуферизация: unbufferedКоличество контактов: 240-pinПоказатель скорости: PC3-12800Скорость (тест): 1600МГцБренд: KINGSPECPartNumber/Артикул Производителя: KS1600D3P13504GТип памяти: DDR3LМодель: KS1600D3P13504GНапряжение (тест): 1.35ВЗадержка (тест): 11-11-11Латентность: CL11Ссылка на сайт поставщика/вендора:kingspec. com/product/ddr3-pc. htmlВес
от 840 до 890 р. -
Оперативная память DDR2 2Gb 800 Mhz Nanya NT2G64U8HD0BN-AD PC2-6400 So-Dimm для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm
1199 846 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Micron Оперативная память CRUCIAL DDR3 4 ГБ 1600 MHz DIMM PC3-12800U 1x4 ГБ (CT102464BF160Bp.4G) для компьютера
Оперативная память Micron DDR3 4 ГБ 1600 MHz DIMM PC3-12800U 1x4 ГБ для компьютера
2390 847 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память DDR2 2Gb 800 Mhz Micron MT16HTF25664HY-800E1 So-Dimm PC2-6400 для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm
999 849 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 R944G3206S1S-U
Артикул № 1031018 Оперативная память SODIMM AMD Radeon R9 R944G3206S1S-U является базовым решением для модернизации игровых и рабочих систем начального уровня. Данная модель обладает емкостью 4 ГБ и относится к 4 поколению устройств для временного хранения
от 850 до 1417 р. - Оперативная память для компьютера Kingston KVR667D2N5 / 1G
-
Оперативная память для ноутбука Digma DDR3L SO-DIMM 4GB PC3-12800 1600Mhz (DGMAS31600004S)
БезопасностьБлокировка включения без воды, отключение при снятии с поставке Модель DGMAS31600004S Особенности (выводится в карточку) single rank 1R*8 Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11
-
IBM|Micron Модуль памяти MT18JSF51272PZ-1G6, 49Y1561, Micron, DDR3, 4 Гб для сервера ОЕМ
Модуль памяти MT18JSF51272PZ-1G6, 49Y1561, Micron, DDR3, 4 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 R532G1601U1SL-UO
Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторDIMM 240-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 2 ГБПоддержка ECCнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11RAS to CAS Delay (tRCD)11Row Precharge Delay (tRP)11Activate to Precharge Delay (tRAS)28ДополнительноКоличество чипов каждого модуля8Напряжение питания1.35 ВРадиаторестьПеред покупкой уточняйте
от 869 до 1045 р. -
DDR3 SO DIMM 4 GB оперативная память для ноутбука QOPP
Оперативная память DDR3 SODIMM 1600MHz QOPP для ноутбука имеет современный продуктивный тип DDR 3, обеспечивающий большую энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон
3350 880 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM M393B5170FH0-CH9Q4
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
от 880 до 7220 р. -
Оперативная память QUMO SO-DIMM 2GB DDR3-1600 (QUM3S-2G1600T11L)
Назначение: Для ноутбукаПодсветка: НетТип памяти: DDR3Форм-фактор: SO-DIMMКоличество модулей в комплекте: 1CAS Latency (CL): 11Частота (МГц): 1600Пропускная способность (Мегабитс): 12800Объем одного модуля (Гб): 2Общий объем (Гб): 2
от 883 до 1424 р. -
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 R534G1601S1S-UO
Напряжение питания (В): 1.5 ВСтандарт: DDR3Форм-фактор: SODIMMВид поставки: OEMОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 204CAS Latency (CL):
-
Оперативная память Kingmax 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 KM-SD4-2666-4GS
Гарантийный срок, которым располагает модуль памяти KINGMAX KM-SD4-2666-4GS, обладает ощутимой продолжительностью. Он составляет целых 60 месяцев, что в пересчете равно 5 годам. Производитель предлагает тип поставки Ret. Здесь установлено 16 чипов. При прохождении моделью тестовых испытаний
от 890 до 1504 р. -
Оперативная память Patriot Memory SL 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 PSD22G80026
Модель PSD22G80026 Количество контактов 240-pin Показатель скорости PC2-6400 Скорость (SPD) 800МГц Скорость (тест) 800МГц Напряжение (SPD) 1.8В Напряжение (тест) 1.8В Задержка (SPD) 6-6-6 Задержка (тест) 6-6-6 Латентность CL6 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD22G80026 Количество рангов (Ranks)
от 890 до 1210 р. -
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
Напряжение питания (В): 1.2 ВСтандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 3200 МГцПропускная способность: 25600 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 22Нормальная операционная
1000 890 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR 400 МГц DIMM CL3 M368L6523CUS - CCC
Модуль памяти m368l6523cus-ccc, DDR, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память DDR2 2Gb 667 Mhz Elpida EBJ21UE8ACUA-6E PC2-5300 So-Dimm для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm
999 899 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память DDR2 2Gb 667 Mhz Micron PC2-5300 So Dimm для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm
1199 899 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память DDR2 2Gb 800 Mhz Elpida EBE21UE8ACUA-6E-E So-Dimm PC2-6400 для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Elpida EBE21UE8AFSA-8G-FElpida EBE21UE8ACUA-6E-E
1199 899 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM HMT351S6CFR8C-H9
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Hynix HMT351S6BFR8C-H9 N0 AAHynix HMT351S68FR8C-H9 N0 AAHynix HMT351S6CFR8C-H9 N0 AA
1400 899 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
MICRON TECHNOLOGY Оперативная память Micron DDR3L SO-DIMM 4Gb 1.35V 1600Mhz для ноутбука
Для временного хранения данных выбирайте модуль памяти Micron DDR3L с форм-фактором SO-DIMM. Тип поставки говорит о том, что продукт полностью готов к эксплуатации. Объем модуля 4 Гб позволяет использовать его в качестве единственного модуля и в
1900 900 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Elpida 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM EBJ41UF8BCS0-DJ-F
Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
1400 900 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 HMT451S6AFR8A-PB
Общие характеристики Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC: нет Поддержка XMP: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS
от 900 до 5225 р. -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 HMT351S6EFR8A-PB
Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 11
1799 900 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 KVR16N11 / 4
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR16N11/4 – миниатюрный модуль для обработки данных. Высота устройства равна 19 мм, что позволяет зафиксировать модуль в корпусе платы нестандартного размера. Прибор относится к форм-фактору DIMM. Схема задержек 11-11-11-28 гарантирует стабильную и
от 900 до 4285 р. -
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16LS11 / 4WP
Модель KVR16LS11/4WP Особенности Напряжение питания 1.35 В или 1.5 В Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR16LS11/4WP Количество рангов (Ranks)
от 900 до 2190 р. -
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0
тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: Unregistered Подробные характеристики Производитель Samsung Тип DDR3L Объем
1199 900 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT451U6AFR8C-PB
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память Crucial DDR3L 4 ГБ 1333 MHz SO-DIMM PC3L-10600U 1x4 ГБ
Гарантированная работа на напряжениях 1.35v и 1.5v.
2590 919 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
SK hynix Модуль памяти SX313L / 4G, 40W4556, DDR3, 4 Гб для сервера ОЕМ
Модуль памяти SX313L/4G, 40W4556, DDR3, 4 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
1Gb NoName ddr 400 pc3200 1024 Mb ddr 400 pc-3200 OEM в ассортименте на чипах разных производителей
1Gb NoName ddr 400 pc3200 1024 Mb ddr 400 pc-3200 OEM в ассортименте на чипах разных производителей - Samsung, Hynix, elpida, elexir, kingmax Данный модуль оперативной памяти совместим с платформами intel и AMD Бывает Характеристики: •
1500 923 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Память Ankowall DDR2 SODIMM 2Gb (new) 800MHz PC2-6400
Память Ankowall DDR2 SODIMM 2Gb (new) 800MHz PC2-6400 Asus F50, F50G, F50GX, F50Q, F50S, F50SF, F50SL, F50SV, F50Z, F55A F70SL G50V G50VT G70S G71G G71GX G72 G72GX K40AB K40AC K40AD K40AE K40AF K40C K40ID K40IJ K40IL
-
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR3, 4ГБ, 1333МГц, PC3-10600
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1435 933 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет