-
Оперативная память DDR4 16GB 2666Мгц PC4 21300U CL19 Kllisre 16Гб с радиаторами игровая
Оперативная память с радиаторами игровая 2666Мгц обьемом 16Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении
-
Оперативная память DDR4 8GB 2666Мгц PC4 21300U CL19 Kllisre 8Гб с радиаторами игровая
Оперативная память с радиаторами игровая 2666Мгц обьемом 8Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении
-
Оперативная память для ноутбука 4Gb (1x4Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 SO-DIMM Unbuffered CL19 QUMO QUM4S-4G2666C19
Тип памяти - DDR4; Корпус - DIMM; Вес - 0,3;
-
Kingston Модуль памяти DDR4 DIMM 4GB KVR26N19S6 4 PC4-21300, 2666MHz, CL19
Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: KVR26N19S6 / 4; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ):
-
Оперативная память для ноутбука 4Gb (1x4Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 SO-DIMM CL19 Patriot Signature Line PSD44G266681S
Корпус - SO-DIMM; Электропитание - 1.2 В; Название товара - Модуль оперативной памяти;
-
Оперативная память для компьютера 4Gb (1x4Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 DIMM CL19 Digma DGMAD42666004S DGMAD42666004S
Корпус - DIMM; Электропитание - 1.2 В; Название товара - Модуль оперативной памяти;
-
Оперативная память для ноутбука 4Gb (1x4Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 SO-DIMM Unbuffered CL19 Netac Basic NTBSD4N26SP-04
Корпус - SO-DIMM; Электропитание - 1.2 В; Название товара - Модуль оперативной памяти;
-
Оперативная память DDR4 8GB 3200Мгц PC4 25600U CL19 Kllisre 8Гб с радиаторами игровая
Оперативная память с радиаторами игровая 3200Мгц обьемом 8Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении
-
Оперативная память для ноутбука 16Gb (1x16Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 SO-DIMM CL19 Kingston VALUERAM KVR26S19S8 / 16
Корпус - SO-DIMM; Электропитание - 1.2 В; Название товара - Модуль оперативной памяти;
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 4ГБ DDR3L 1333 МГц SO-DIMM PC3L-10600S-CL11 4Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):