Тип памяти NAND: 3D MLC NAND; Форм-фактор: M.2; Объем гб: 1024 ГБ; Скорость чтения: 7450 МБ/с; Скорость записи: 6900 МБ/с; Время наработки на отказ: 1500000 ч; Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000; Поддержка NVMe: есть;
Емкость: 2 ТБ; Форм-фактор: M.2 2280; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера, для ноутбука, игровой, для настольного компьютера; Разъем: M.2; Линейка: 990 PRO; Тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC; Контроллер: Samsung; Тип разъема M.2: 2280, M;
версия NVM Express (NVMe) 2.0 Емкость, ГБ 1TB Интерфейс PCI Express 4.0 Комплектующие для ПК Максимальное потребление энергии 7,8 W поддержка NVM Express (NVMe) Да Скорость записи, Мбайт/с 6900 MB/s Скорость чтения, Мбайт/с 7450 MB/s Случайная
Производитель Samsung Серия 990 PRO Модель MZ-V9P1T0CW Емкость накопителя 1 Тб Цвета, использованные в оформлении Черный Отличительные особенности Background Garbage Collection Поддерживается Поддержка TRIM умная поддержка Поддержка шифрования Поддержка спящего