-
Оперативная память Synology 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4EC-2666-8G
Основные характеристики Вес (грамм) 500 Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель D4EC-2666-8G Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 8 Объем одного модуля (ГБ) 8 Поддержка Reg Нет Производитель Synology
-
Оперативная память Synology 16 ГБ DIMM CL16 D4RD-2666-16G
Модуль памяти для СХД DDR4 16GB D4RD-2666-16G SYNOLOGY
-
Оперативная память Synology 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4NE-2666-4G
Форм-фактор памяти: 288-pin DIMMНапряжение памяти: 1.2 Vgroup_id: 7560441oldprice: 9015.0Бренд: SynologyКод товара: D4NE-2666-4GError-correcting code (ECC): НетКомплектующие для: ПК/серверТип внутренней памяти: DDR4Тактовая частота памяти: 2666 MHzКонфигурация памяти (модули х емкость): 1 x 4 GBСовместимые продукты: RS2818RP, RS2418RP+, RS2418+Тип
-
Оперативная память Synology 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL17 D4ECSO-2666-16G
Synology D4ECSO-2666-16G - модуль памяти объемом 16 Гб. Выполнен в форм-факторе SO-DIMM, соответствует DDR4-2666, поддерживает ECC. Предназначен для установки в сетевые накопители Synology. Характеристики Synology D4ECSO-2666-16G Объем 16 Гб Тип памяти DDR4-2666 Поддержка ECC есть Интерфейс
-
Оперативная память Synology 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL17 D4NESO-2666-4G
Продукция Synology - это та продукция, которая никогда не разочаровывает пользователя. Одним из основных бизнес-определяющих направлений разработок являются устройства сетевого хранения (Network Attached Storage) нового поколения. Продукты Synology отличаются предельной простотой и дружественностью использования, высокой эстетикой
-
Оперативная память Synology 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 D4ES01-8G
Продукция Synology - это та продукция, которая никогда не разочаровывает пользователя. Одним из основных бизнес-определяющих направлений разработок являются устройства сетевого хранения (Network Attached Storage) нового поколения. Продукты Synology отличаются предельной простотой и дружественностью использования, высокой эстетикой
-
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 Напряжение питания 1.2
-
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 R744G2606U1S-U
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 04897065181777 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R744G2606U1S-U RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Вес (грамм) 50
-
Оперативная память Foxline 16 ГБ DDR4 DIMM CL19 FL2666D4U19S-16G
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/050922/3238175/005 GTIN 02772100929380 Cтрана-производитель Тайвань (китай) Партномер FL2666D4U19S-16G RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) 20
-
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 R744G2606U1S-UO
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.14 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 04897065181609 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R744G2606U1S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Вес (грамм) 20