Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0 / Описание

Где купить 1Описание

Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Дополнительно Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 2

Популярные марки модулей памяти в этом разделе

Похожие на этот модуль памяти товары

Оставьте своё мнение о товаре Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0 (осталось 5000 символов)
Ваше имя:
Код с картинки:Контрольные символы

Отправляя отзыв, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности сайта