-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G43AB3-CWE
Модуль памяти Registered DDR4 32 Гб x 1 шт. PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
-
Оперативная память Samsung M393A4G43AB3-CWEBY RDIMM 32Gb DDR4 3200MHz
Вес - 1000 г.;
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
D_HEIGHT 1 D_LENGTH 10 D_WIDTH 7 EANUPCCode h0cq010236000052236z Error-correcting code (ECC) Да Буферизованная (Registered) Да Объем, ГБ 32GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz… adpar_property_list td > span,
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A4G43AB1-CWE
Количество модулей в комплекте 2Поддержка ECC ДаТип оперативной памяти DDR4Частота функционирования, МГц 3200Пропускная способность, Мб/сек. 25600Объём, Мб 32768Количество контактов 288Форм-фактор оперативной памяти DIMMНапряжение, В 1.2000
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A1K43DB2-CWEGY
Память DDR4 Samsung M393A1K43DB2-CWE 8Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz - это надежное и высококачественное устройство, которое обеспечит стабильную и быструю работу вашего компьютера. Благодаря емкости 8Gb и поддержке технологии ECC Reg, данная память
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G40BB3-CWE
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 3200 MHz, серия модуля PC4-25600, пропускная способность 25600 MB/s Registered. Форм-фактор модуля RDIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Samsung M393A4G40BB3-CWE
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц LRDIMM CL22 M393A2K43FB3-CWE
Назначение: для сервера Тип поставки: один модуль 1x16Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: RDIMM Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC: да Буферизованная (RDIMM): да Латентность: CL22 Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB3-CWEBY
Основные характеристики Вес (грамм) 50 Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель M393A2K40DB3-CWE Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ) 16 Поддержка Reg Есть Производитель Samsung
-
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0
Модель M378A4G43AB2-CWE Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL22 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A4G43AB2-CWE Количество рангов (Ranks) dual rank Вес упаковки (ед) 0.032 Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A4G43BB1-CWE
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) -