Оперативная память Qumo 4 ГБ DIMM CL9 QUM3U-4G1333K9 / Описание

Напряжение питания (В): 1.5 В
Стандарт: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Вид поставки: OEM
Объем одного модуля: 4 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Суммарный объем: 4 ГБ
Эффективная частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10660 Мб/с
Поддержка ECC: Нет
Буферизованная (регистровая): Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество контактов: 240
CAS Latency (CL): 9
Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C
Расширенная операционная температура (Tcase): 95 °C
Радиатор: Нет
Габариты: 133.35 x 30 мм
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Row Precharge Delay (tRP): 9
Количество чипов на модуле: 8 шт
Activate to Precharge Delay (tRAS): 24
Компоновка чипов на модуле: Односторонняя