-
Оперативная память QNAP 8 ГБ SODIMM CL11 RAM-8GDR3-SO-1600
EANCode 4712511125344… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 2 ГБ DDR3 SODIMM CL11 RAM-2GDR3LK0-SO-1600
Тип: Модуль памяти; Описание: Модуль оперативной памяти; Характеристики: Объем: 2 ГБ, Тип памяти: DDR3L, Форм-фактор: SODIMM 204-контактный, Тактовая частота: 1600 МГц, Пропускная способность: 12800 Мб/с, Напряжение питания: 1,35 B; Совместимость: Модуль оперативной памяти для сетевых накопителей:
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ DDR3L SODIMM CL11 RAM-4GDR3L-SO-1600
Оперативная память 4 ГБ DDR3L, 1600 МГц, SO-DIMM Объем 4 ГБ Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Напряжение питания 1,35 B Модуль оперативной памяти для сетевых накопителей: TS-451+,
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ DIMM CL17 RAM-4GDR4A0-UD-2400
EANCode 4713213512043… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 16 ГБ DIMM CL17 RAM-16GDR4ECT0-UD-2666
Оперативная память 16 ГБ DDR4, 2666 МГц, UDIMM ECC Объем16 ГБ Тип памятиDDR4 Форм-фактор288-контактный Тактовая частота2666 МГц Спецификация1G X 8 Поддержка ECCECC Напряжение питания1,2 B Организация DRAM2048M*72 Температура0 — 85? Экологический регламентRoHSМодуль оперативной памяти для сетевых
-
Оперативная память QNAP 16 ГБ 2400 МГц DIMM CL15 RAM-16GDR4A0-UD-2400
Тип: Модуль памяти; Описание: Оперативная память; Характеристики: Оперативная память 16 ГБ DDR4, 2400 МГц, UDIMM; Совместимость: Для моделей: TS-873U, TS-873U-RP, TS-1273U, TS-1273U-RP, TS-1673U, TS-1673U-RP; Прочие особенности: н/д; Габариты: н/д
-
Оперативная память Kingston FURY Impact 4 ГБ DDR3 1866 МГц SODIMM CL11 KF318LS11IB / 4
Kingston FURY™ Impact DDR3 открывает двери в мир детализации, о котором другие геймеры никогда не узнают: например, волосы на затылке вашей жертвы. Память автоматически разгоняется до максимальной заявленной частоты (до 1866 МГц) без необходимости настройки параметров
-
Оперативная память HyperX Impact 8 ГБ (4 ГБ x 2 шт.) DDR3 1866 МГц SODIMM CL11 HX318LS11IBK2 / 8
Модуль памяти LV SO-DIMM DDR3 4 Гб x 2 шт. PC3-15000 (DDR3 1866 МГц) Напряжение: 1.35 В (LV DDR3)
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11S8 / 4
Описание Kingston DDR-III 4GB (PC3-12800) 1600MHz SO-DIMM SR X8Производитель KingstonСерия ValueRAMМодель KVR16S11S8/4Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR3Объем модуля памяти 4 Гбнайти похожую памятьКоличество модулей в комплекте 1ПроизводительностьЧастота функционирования до 1600 МГцСтандарт памяти PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)Пропускная
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16LS11 / 4WP
Модель KVR16LS11/4WP Особенности Напряжение питания 1.35 В или 1.5 В Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR16LS11/4WP Количество рангов (Ranks)