-
Оперативная память QNAP 8 ГБ UDIMM CL17 RAM-8GDR4ECT0-UD-2666
Оперативная память QNAP RAM-8GDR4ECT0-UD-2666 8GB ECC DDR4 RAM, 2666 MHZ, UDIMM
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ DIMM CL17 RAM-4GDR4A0-UD-2400
EANCode 4713213512043… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 16 ГБ 2400 МГц DIMM CL15 RAM-16GDR4A0-UD-2400
Тип: Модуль памяти; Описание: Оперативная память; Характеристики: Оперативная память 16 ГБ DDR4, 2400 МГц, UDIMM; Совместимость: Для моделей: TS-873U, TS-873U-RP, TS-1273U, TS-1273U-RP, TS-1673U, TS-1673U-RP; Прочие особенности: н/д; Габариты: н/д
-
Оперативная память QNAP 8 ГБ DIMM CL17
…adpar_property_list td > span, .adpar_property_list td > …adpar_property_list tr td:first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }…adpar_property_list tr td:first-child > span,…adpar_property_list tr td:first-child > …adpar_property_list tr td:first-child > span…adpar_property_list tr td:first-child > span:before,…adpar_property_list tr td:first-child > .txt:before { content: ''; display:
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ SODIMM CL11 RAM-4GDR3LA0-SO-1866
ХарактеристикиТипDDR3LФорм-факторSODIMMКоличество модулей в комплекте1 шт. Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1866 МГцПропускная способностьPC14900CL11Напряжение питания1.2 ВКоличество контактов204ДополнительноСрок службы1 г. Гарантийный срок1 г.
-
Оперативная память QNAP 8 ГБ SODIMM CL11 RAM-8GDR3-SO-1600
EANCode 4712511125344… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 2 ГБ DDR3 SODIMM CL11 RAM-2GDR3LK0-SO-1600
Тип: Модуль памяти; Описание: Модуль оперативной памяти; Характеристики: Объем: 2 ГБ, Тип памяти: DDR3L, Форм-фактор: SODIMM 204-контактный, Тактовая частота: 1600 МГц, Пропускная способность: 12800 Мб/с, Напряжение питания: 1,35 B; Совместимость: Модуль оперативной памяти для сетевых накопителей:
-
Оперативная память HUAWEI 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 06200213
Серверная оперативная память Huawei P/N: 06200213 способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 16 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2400 МГц. Технология ECC
-
Оперативная память Synology 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL17 D4ECSO-2666-16G
Synology D4ECSO-2666-16G - модуль памяти объемом 16 Гб. Выполнен в форм-факторе SO-DIMM, соответствует DDR4-2666, поддерживает ECC. Предназначен для установки в сетевые накопители Synology. Характеристики Synology D4ECSO-2666-16G Объем 16 Гб Тип памяти DDR4-2666 Поддержка ECC есть Интерфейс
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL17 KCP426SS8 / 8
ОсновныеНабор1 модульОбъем8 ГБТипDDR4 SO-DIMMECCНетЧастота2666 МГцPC-индексPC4-21300CAS Latency17TНапряжение питания1.2 В Технические характеристикиРасположение чиповодностороннееКоличество ранков1Профили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНетПодсветка элементов платыНет
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
