- Главная
- Компьютеры и комплектующие
- Оперативная память
Оперативная память по возрастанию цены
В разделе «Оперативная память» Вы можете ознакомиться с ценами на товары из множества интернет-магазинов России, узнать о скидках и распродажах. Купить выбранный товар Вы можете перейдя на сайт продавца со страниц каталога или из карточки товара. Предложения действительны в течение срока наличия товара на складе.
7297 товаров
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 R532G1601U1SL-UO
Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторDIMM 240-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 2 ГБПоддержка ECCнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11RAS to CAS Delay (tRCD)11Row Precharge Delay (tRP)11Activate to Precharge Delay (tRAS)28ДополнительноКоличество чипов каждого модуля8Напряжение питания1.35 ВРадиаторестьПеред покупкой уточняйте
от 190 до 1305 р. -
Fujitsu Микросхема MB39A126
Микросхема MB39A126, 1 шт. p/n: MB39A126 Цвет: черный Страна: Китай Количество: 1 шт
-
Infineon Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
Категория: радиодетали.Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
- Qimonda Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
-
Rocknparts HYB18H1G321AF-11 Память оперативная Qimonda
Категория: радиоэлементы.HYB18H1G321AF-11
-
Rocknparts Модуль памяти HYB18H1G321AF-11
Память оперативная Qimonda. Партномер HYB18H1G321AF-11
-
ON Semiconductor Микросхема NCP1589DMNTWG
Материнская плата Asus GL552VW REV2.1 i5-6300HQ SR2FP N16P-GT-A2 GTX960M
-
Оперативная память Kingston 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 KVR800D2N6 / 1G
Бренд - KINGSTONМодель - KVR800D2N6/1GФорм-фактор - DIMMТип памяти - DDR2Объем модуля - 1024 МБКоличество контактов - 240-pinПоказатель скорости - PC2-6400Буферизация - unbufferedПоддержкаECC - не поддерживаетсяСкорость - 800МГцНапряжение - 1.8ВЛатентность - CL6
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 KVR16N11S6 / 2
Напряжение питания (В): 1.5 ВСтандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMОбъем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL): 11Нормальная операционная
от 390 до 2400 р. -
Микросхема K4J55323QG-BC14
Микросхема K4J55323QG-BC14, EMMC Samsung, 1 шт. p/n: K4J55323QG-BC14 EMMC Samsung Страна производства: Китай Количество, шт: 1
-
W631GG6JB-12 Память оперативная Winbond
Категория: радиодетали.тип память оперативная
от 404 до 405 р. -
HY5DS573222 Память оперативная Hynix
Категория: радиодеталиТип память оперативная
от 414 до 415 р. -
Hynix Память оперативная HY5DU283222A F-30
Память оперативная Hynix HY5DU283222A F-30
-
Hynix Память оперативная F-30, HY5DU283222A
память оперативная F-30Партномер HY5DU283222A
-
ON Semiconductor Микросхема NCP6153
NCP6153 NCP6153
-
Оперативная память Samsung 512 МБ DDR2 667 МГц DIMM M378T6553EZS-CE6
Desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память для ноутбука Foxline FL1600D3S11-2G SO-DIMM 2Gb DDR3 1600 MHz FL1600D3S11-2G
Вес - 0,1;
от 420 до 1086 р. -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
492 442 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 533 МГц DIMM CL4 m378t6553ez3-cd5
Модуль памяти m378t6553ez3-cd5, DDR2, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
528 474 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Qumo DDR3 SO-DIMM 1600MHz PC3-12800 CL11 - 2Gb QUM3S-2G1600T11L
475 р.Перейти в магазин
Pleer -
RFID / NFC модуль PN532 OEM
PN532 - RFID модуль на основе чипа NXP PN532, предназначен для считывания и записи меток 13.56 МГц. Так же модуль может имитировать RFID метку, выступать в качестве NFC устройства. В комплект входит только модуль. Поддерживаемые чипы:
596 477 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память QUMO SO-DIMM 2GB DDR3-1600 (QUM3S-2G1600T11L)
Артикул № 1022086 Оперативная память SODIMM Qumo QUM3S-2G1600T11L 2 ГБ выпускается известным производителем. Компания давно занимается изготовлением ОЗУ и внешних носителей, смогла накопить в данном направлении значительный опыт и гарантирует высокое качество. Qumo QUM3S-2G1600T11L 2 ГБ
от 482 до 650 р. -
Micron Модуль памяти DDR3 ECC 1Gb PC3-10600E
Модуль памяти DDR3 ECC 1Gb PC3-10600E, (1333MHz), CL9, 1Rx8 Micron Technology
790 490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Память DDR1 SODIMM 128Mb (б / у)
Память DDR1 SODIMM 128Mb (б/у) Память DDR1 SODIMM 128Mb (б/у)
-
Оперативная память Kingston 524.288 МБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 KVR667D2N5 / 512
Оперативная память Kingston KVR667D2N5/512, DDR2, 512MB, 5300 Обратите внимание на внешний вид на фото, перед покупкой!Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем:
550 495 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Elpida EBJ20UF8BDW0-GN-F (EBJ20UF8BDW0-GN-F), DDR3 1x2Gb, 1600MHz
587 499 р.Перейти в магазин
Мегамаркет - Hynix Модуль памяти Qimonda 1GB DD2 PC2-5300R 667MHz ECC Reg (HYS72T128000HR-3S-B)
-
Оперативная память Kingston 512 МБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 KVR800D2N6 / 512
Модуль памяти KVR800D2N6/512, DDR2, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0
999 500 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
786 511 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Foxline 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 FL1333D3U9-1G
Модуль памяти fl1333d3u9-1G, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Patriot Memory 512 МБ DDR 400 МГц DIMM PSD512400
Модуль памяти psd512400, DDR, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
от 530 до 3545 р. -
Модуль памяти KingSpec DDR3 DIMM 1600MHz PC-12800 CL11 - 4Gb KS1600D3P13504G
532 р.Перейти в магазин
Pleer -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 667 МГц FB-DIMM CL5 M395T2953EZ4-CE66
Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем: 1 модуль 1 ГбПропускная способность: 5300Мб/сНапряжение питания: 1.8 ВПоддержка ECC: есть Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии
от 540 до 4910 р. -
Infineon Оперативная память - HYB18T5256161AFL28
Категория: радиодетали.Память оперативная HYB18T5256161AFL28
-
Память DDR3 SODIMM 1Gb (б / у)
Память DDR3 SODIMM 1Gb (б/у) Alienware M17x, M17xR2, M15x, M14x, M18x, M17xR4, M18xR2, 14 R1, 17 R1, 13, 17 R2, 15 R1, 13 R2 Inspiron 14z (5423), 15R (7520), 17R (7720), 15z (5523), 17 (3721), 17R
-
ON Semiconductor Микросхема NCP302045MNTW
NCP302045 NCP302045
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 R332G1339S1S-U
Серия продукции: Radeon R3 ValueТип памяти: UnbufferedФорм-фактор: SODIMMСтандарт памяти: DDR3Объем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1333 МГцПропускная способность: 10600 Мб/сПоддержка ECC: НетНизкопрофильная: НетКоличество чипов на модуле: 8 штКоличество
708 590 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память KINGSPEC KS1600D3N13504G DDR3L - 1x 4ГБ 1600МГц, для ноутбуков (SO-DIMM), Ret
204-pin; частота: 1600 МГц; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret
590 р.Перейти в магазин
Ситилинк -
Оперативная память KINGSPEC KS1600D3P13504G DDR3L - 1x 4ГБ 1600МГц, DIMM, Ret
240-pin; частота: 1600 МГц; латентность: CL11; форм-фактор: DIMM; тип поставки: Ret
590 р.Перейти в магазин
Ситилинк -
Оперативная память Patriot Memory SL 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 PSD44G240082
Patriot Signature [PSD44G240082] - это универсальный модуль памяти DDR4, который можно установить как в офисный компьютер, так в домашний системный блок, выполняющий разнообразные задачи - просмотр видео, работа с браузерами, видеоигры. Память небуферезированная, объемом 4 Гб
-
Оперативная память Qimonda HYS64T128000EU-2.5-C2, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Характеристики – Тип DDR2, DIMM, 240-контактнаяОбъем - 1 Гб Спецификации: Тактовая частота - 800 МГцПропускная способность - 6400 Мб/сНапряжение питания - 1.8 ВТайминги - CL 6
-
Модуль памяти Digma DDR3 DIMM 1333MHz PC10600 CL9 - 4Gb DGMAD31333004D
591 р.Перейти в магазин
Pleer -
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 R532G1601S1S-UO
Для модернизации вашего рабочего ноутбука хорошим вариантом является модуль памяти AMD R532G1601S1S-UO. Оснащенный 2 Гб памяти, он справится с запуском офисных приложений, просмотром фотографий и видео, работой в сети Интернет. Характеризующаяся быстродействием память третьего поколения выделяет
от 597 до 1190 р. -
Оперативная память King DDR3 1х4Гб 1600Mhz
Модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор! Два низкопрофильных модуля памяти DDR3 4Гб 1600Mhz Суммарный объем памяти 4Гб Тактов: 12 Пропускная способность:
1850 600 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти HikVision DDR3 DIMM 1600Mhz PC12800 CL11 - 4Gb HKED3041AAA2A0ZA1 / 4G
601 р.Перейти в магазин
Pleer -
InkTec Чернила для Epson L100, L110, L120, L132, L200, L222, L300, L800, L810, 1500W и др, 1 шт, краска для заправки струйного принтера
Водорастворимые чернила для струйных принтеров и МФУ Epson: Epson L100, L110, L120, L132, L200, L210, L222, L300, L800, L805, L810, L850, L1800, 1500W. Совместимы с картриджами:Epson T6641 Black, Epson T0551 Black Тип: водорастворимыеЧернила предназначены для заправки
Цвет:
675 608 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память KingSpec DDR3L DIMM CL11 KS1600D3P13504G
Размер (модули памяти): 4096/1600Объем: 4096МБЧастотная спецификация: 1600Количество в упаковке: 1Тип поставки: RetФорм-фактор: DIMMБуферизация: unbufferedКоличество контактов: 240-pinПоказатель скорости: PC3-12800Скорость (тест): 1600МГцБренд: KINGSPECPartNumber/Артикул Производителя: KS1600D3P13504GТип памяти: DDR3LМодель: KS1600D3P13504GНапряжение (тест): 1.35ВЗадержка (тест): 11-11-11Латентность: CL11Ссылка на сайт поставщика/вендора:kingspec. com/product/ddr3-pc. htmlВес
от 612 до 765 р. -
Оперативная память Hynix 1 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM HMT112S6AFR6C-G7
Модуль памяти hmt112s6afr6c-g7, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
ON Semiconductor Микросхема NCP303150MNTWG
Микросхема - p/n NCP303150MNTWG p/n: NCP303150MNTWG Страна производства: Китай Количество, шт: 1
-
Модуль памяти DDR3 4GB INDILINX IND-ID3P16SP04X PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V
632 р.Перейти в магазин
Xcom-Shop -
Модуль памяти AMD R7 Performance DDR4 DIMM 2666MHz PC4-21300 CL16 - 4Gb R744G2606U1S-UO
637 р.Перейти в магазин
Pleer -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 2ГБ, 667МГц, PC2-5300 SDRAM, 1.8В UNBUFF
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
752 638 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR3, 2ГБ, 1333МГц, 256MX64, PC3-10600
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
752 638 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR3, 2ГБ, 1333МГц, 256MX64
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
715 643 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 HYMP125S64CP8-S6
Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 6 Напряжение питания 1.8
750 649 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Micron Модуль памяти MT18HTF12872AY-53EB1, DDR2, 1 Гб для срвера ОЕМ
Модуль памяти MT18HTF12872AY-53EB1, DDR2, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Micron Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL6
Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В
900 650 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Apacer 78.01GA0.9L5, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Оперативная память Apacer 78.01GA0.9L5, DDR2, 1GB, 6400 Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2 Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 800 МГцКоличество контактов: 240Пропускная способность: 6400 Мб/сОбъем: 1 модуль 1GbНапряжение питания: