KLLISRE Оперативная память DDR3L 8GB / Описание
- Марка: Kllisre
- Есть в наличии
- Отложить
- Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Kllisre DDR3L 1600 МГц для ноутбука
Оперативная память Kllisre DDR3L 1600 МГц для ноутбука
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для ноутбука Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
Производитель: KllisreТип памяти: DDR 3Объем: 8 GbТактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с)Буферизованная (Registered): нетПоддержка ECC: нетФорм-фактор DIMM 240: контактныйЧипы памяти: SEC - Samsung ElectronicsНапряжение питания 1.5 ВDDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для компьютера ПК Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 4 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 3200 МГц (25600 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный DDR4-3200 PC4-25600U-CL19